Μετά τη δοκιμή του Απριλίου η Samsung ανακοίνωσε ότι ξεκινάει μαζική παραγωγή 3GB RAM για smartphones τα οποία βασίζονται στο πρότυπο Low-Power DDR3 και κατασκευάζονται στα 20 νανόμετρα (nm).

Τα νέα αυτά chip θα προσφέρουν μεγαλύτερες επιδόσεις σε μελλοντικά smartphones, ενώ το πρώτο που θα ενσωματώσει τις νέες μνήμες θα είναι πιθανώς το Galaxy Note III. Το Note III αναμένεται να ανακοινωθεί στην έκθεση IFA το Σεπτέμβρη που μας έρχεται, οπότε είναι λογικό να αρχίσουν να κατασκευάζονται από τώρα οι μνήμες.

Το κάθε chip έχει χωρητικότητα 0.5 GB και σε συστοιχία των τριών, επί δύο δίνουν 3 GB τα οποία συνδέονται με δύο συμμετρικά κανάλια στον επεξεργαστή (2×1.5GB). Το νέο Exynos 5420 Octa chipset φημίζεται ότι θα είναι η επιλογή chipset για το Galaxy Note III καθώς είναι dual-channel τεχνολογίας.

Λεπτότερα chip σημαίνει περισσότερος χώρος για την μπαταρία αλλά και μεγαλύτερη αποδοτικότητα ενέργειας. Επίσης, τα νέα chip είναι δύο φορές πιο γρήγορα από τον προκάτοχο τους με τα ταχύτητές διαμεταγωγής 2,133mpbs ανά pin.
Ο εκπρόσωπος της Samsung προβλέπει ότι τα 3 GB RAM θα αποτελέσουν στάνταρ για τις ναυαρχίδες του επόμενου χρόνου.

Πηγή

FacebookTwitterGoogle+tumblrRedditLinkedInPinterestEmail